Компания Samsung сообщила, что она первой в отрасли создала мобильный чип памяти LPDDR4 DRAM, обладающий емкостью 8 Гбит. Это решение отличается высокими показателями плотности, производительности и энергоэффективности.
Новый чип памяти Samsung LPDDR4 (low power double data rate 4) DRAM изготавливается по нормам технологического процесса 20-нанометрового класса. Емкость 8 Гбит (или 1 Гбайт) является рекордом для устройств этого сегмента. Благодаря объединению четырех таких чипов можно создать модуль памяти для мобильных устройств емкостью 4 Гбайта.
Помимо емкости новинка обладает и рядом других преимуществ по сравнению с современными решениями. Отметим, сейчас в мобильных устройствах массово применяются чипы памяти LPDDR3. Однако интерфейс LPDDR4 позволяет достичь прироста производительности на уровне 50%. В то же время интерфейс ввода-вывода LVSTL в новинке обеспечивает скорость передачи данных для каждого контакта на уровне 3200 Мбит/с. Это в 2 раза больше, чем для современных массовых продуктов LPDDR3 DRAM, изготавливаемых по нормам технологического процесса 20-нанометрового класса. Кроме того, новый чип памяти потребляет, примерно, на 40% меньше энергии при напряжении питания 1,1 В.
Компания Samsung намерена вывести на рынок чипы памяти LPDDR4 DRAM емкостью 8 Гбит в 2014 году. Они будут использоваться в мобильных устройствах нового поколения (смартфонах, планшетах, ноутбуках), оснащенных большими дисплеями с UHD разрешением. Высока вероятность того, что эти чипы памяти в скором времени появятся и в продуктах Apple. [Samsung Tomorrow]
Источник:
